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电子元器件详细资料 » IC[21707] » IXTH6N100D2
型号:IXTH6N100D2类别:FET - 单制造商:IXYS
封装:TO-247-3描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
系列-
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.2 欧姆 @ 3A,0V
Id时的Vgs(th)111最大222-
闸电荷(Qg)0a0Vgs95nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds2650pF @ 25V
功率_最大300W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商设备封装TO-247
包装管件

供应商

昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
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